报告题目：二维光电功能材料的忆阻行为及其应用

报告人：孙林锋教授  北京理工大学

报告时间：2021年4月25日 9：30

报告地点：理6栋220   

邀请人：陈福明研究员

报告内容：

    随着“十四五”的开局，实施好核心技术攻关，着手解决一批关键的“卡脖子”技术问题，在产业优势领域升级和整合中显得至关重要。以半导体产业为例，我国核心半导体芯片自给率不足5%，关键技术被国外企业垄断。鉴于我国在芯片材料、设备设计加工、芯片封装等技术方面相对落后，以及国外技术的层层封锁和专利保护，必须依靠新材料、新技术、新器件来研发和探索半导体器件。特别是近年来, 除摩尔定律的失效趋势之外，当前基于芯片的计算技术面临的一个重要瓶颈就是冯诺依曼架构导致的能效低下。本报告将围绕低维功能材料的忆阻行为原型器件为基础，介绍当前信息存储以及类脑计算等相关领域的一些最新研究成果和进展。

专家简介：

    孙林锋，北京理工大学教授，博士生导师。近年来的研究工作以新型低维功能材料的阻变忆阻特性在存储技术和神经形态计算上的应用为核心，涉及凝聚态物理、微电子、材料科学和神经科学等多个学科，迄今以第一作者在Science Advances, Nature Communications, Physical Review Letters, Nano Letters, Advanced Functional Materials, Nano Energy, Small, Advanced Intelligent Systems 等业界认可的综合/专业顶级期刊上发表多项研究成果和邀稿综述。SCI总引用1930余次。归国前，申报人担任韩国科技部授予的韩国国家研究基金的项目负责人，并依托韩国基础科学研究院-集成纳米结构物理研究中心开展相关工作。同时,申报人作为核心研究人员参加美国空军基础科学研究中心的项目(AFOSR, USA),以及三星电子的研究项目，研发高性能近红外光电探测器，新型大容量阻变存储器以及神经形态计算器件，并取得了一系列创新性研究成果。